Ученые Национального исследовательского университета «МЭИ» разработали источник излучения в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне (ЭУФ). Эта технология позволит улучшить процесс литографии микросхем, делая их компактнее и повышая быстродействие.
Исследователи создали экспериментальный образец источника, добавив литий в гелиевую плазму. Эксперименты показали, что это решение способно стать основой для стационарного источника, который особенно важен для ЭУФ-литографии. Этот процесс широко используется в микроэлектронике для изготовления интегральных схем с минимальными размерами элементов, что позволяет делать устройства быстрее и меньше.
Разработка была выполнена на кафедре общей физики и ядерного синтеза НИУ «МЭИ». Как отмечается, новый источник отличается повышенным коэффициентом полезного действия (КПД) по сравнению с аналогами. Новый источник излучения открывает возможности для создания более производительных и энергоэффективных микросхем.